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氮化铟

氮化铟

  • 中文名称:氮化铟
  • CAS No.:25617-98-5
  • EINECS号:247-130-6
  • 分子式:InN
  • 分子量:128.82
  • 产品类别: 无机化工
  • 中文别名:氮化铟;氮化铟,99.8%(METALSBASIS);氮化铟(III);一氮化铟
  • 用途: 氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料,在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中,氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性,它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质,这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件,在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势,尤其在在制备太赫兹器件,化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。 更多
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氮化铟(III)
氮化铟(III)
包装:25kg
纯度规格:99.99%
产地:
更新日期:2024/05/15
氮化铟物理化学性质密度6.88 g/cm3熔点~1900°分子式InN分子量128.82500精确质量128.90700PSA23.79000LogP0.01508外观性状hexagonal crystals折射率2.92储存条件放入紧密的贮藏器内,储存在阴凉,干燥的地方稳定性常温常压下稳定避免接触强氧化剂,酸它是一种半导体(禁带宽度为2.4eV),生成热(固态,25℃)是-17.6kJ/mol
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