硒化铟是一种无机化合物，化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，是典型的二维层状半导体材料。
物质结构
通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
制备方法
单晶硒化铟可以用 Bridgman–Stockberger 法制备，以一定比例的硒单质和铟单质为原料，在管式炉中高温长时反应，能制得硒化铟的每种化合物。
In2Se3的水热法合成研究较晚，将抗坏血酸在60℃条件下溶于乙醇溶液中，然后加入InCl3和Se粉，装入反应釜中后在220℃高温下保持20小时，得到了直径为2-4μm的花状γ-In2Se3球体。
研究进展
2016年11月，曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员合成纳米级超薄硒化铟，仅有几层原子的厚度，并表现出优于硅的半导体性能，是未来替代硅制作电子芯片的理想材料。