氧化铟
| 中文名称 | 氧化铟 |
|---|---|
| 中文同义词 | 三氧化二铟;氧化铟;氧化銦;氧化铟(三氧化二铟);氧化铟 10G;氧化铟4N(99.99%)/5N(99.999%);氧化铟涂覆的 PET;氧化铟涂覆的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜 |
| 英文名称 | Indium(III) oxide |
| 英文同义词 | INDIUM(III) OXIDE, 99.99%;INDIUM(III) OXIDE, 99.999% METALS BASIS;Indium(Iii)Oxide99.999%;Indium(III) oxide, 99.9%;INDIUM OXIDE, 99.9%;INDIUM OXIDE, 99.99%;Indium (Ⅲ) oxide;Indium(III)oxide(99.999%-In)PURATREM |
| CAS号 | 1312-43-2 |
| 分子式 | In2O3 |
| 分子量 | 277.63 |
| EINECS号 | 215-193-9 |
| 相关类别 | 无机化合物和盐;溶剂;无机氧化物;无机化工;稀有金属;生化试剂;稀土;催化和无机化学;铟;催化剂;化工产品-有机化工;化工产品-无机化工;Inorganics;Catalysis and Inorganic Chemistry;Chemical Synthesis;Indium;IndiumMetal and Ceramic Science;Oxides;49: In;IndiumMaterials Science;Nanomaterials;Nanoparticles: Oxides, Nitrides, and Other CeramicsNanomaterials;Nanopowders and Nanoparticle Dispersions;metal oxide;常规氧化物粉体-氧化铟;氧化物-氧化铟;大化工;高纯材料;化工材料;稀土氧化物;无机化工原料;精细化工原料;化工原料;原料;氟化物;氧化物 |
| Mol文件 | 1312-43-2.mol |
| 结构式 |  |
氧化铟 性质
| 熔点 | 2000°C |
|---|---|
| 密度 | 7.18 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 蒸气压 | <0.01 mm Hg ( 25 °C) |
| 闪点 | 13°(55°F) |
| 储存条件 | no restrictions. |
| 溶解度 | 溶于己烷和甲苯。不溶于醇 |
| 形态 | 纳米粉体 |
| 颜色 | 粘黄色 |
| 比重 | 7.179 |
| 水溶解性 | Insoluble in water. |
| Merck | 14,4952 |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.1 mg/m3 NIOSH: TWA 0.1 mg/m3 |
| 稳定性 | 稳定的。不易燃。与酸不相容。 |
| CAS 数据库 | 1312-43-2(CAS DataBase Reference) |
| NIST化学物质信息 | indium(III) oxide(1312-43-2) |
| EPA化学物质信息 | Indium oxide (In2O3) (1312-43-2) |
三氧化二铟作为一种n型宽带隙透明半导体纳米材料，具有许多优异的性能，已经在许多领域得到应用，比如超灵敏气体传感器、太阳能电池、液晶显示和建筑玻璃加热材料等。未表面修饰的三氧化二铟纳米晶及表面修饰的三氧化二铟纳米晶和纳米花均具有强的荧光性能和可见光透过性能，在三氯甲烷、石油醚、水等不同介质中有良好的分散性，可用作生物荧光指示剂和玻璃透明涂料。
2. 将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。
3. 将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
化学性质
氧化铟（亦称三氧化二铟，In2O3）为白色或黄色粉末，加热转变为红褐色。在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。在高温下分解为低级氧化物。另外，在高温下可与金属铟发生反应，低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸，但经过高温处理得越完全就越难溶，吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时，则生成金属铟。它是一种不溶于水、像陶瓷的稳定材料。氧化铟是一种N型半导体（电子型半导体），因而可被用作集成电路的电阻元件。它还可以和p-InP、n-GaAs、n-Si及其他半导体形成异质结。用途
用作光谱纯试剂和电子元件的材料等用途
主要用于作电池原材料 ，荧光屏，玻璃，陶瓷，化学试剂等。生产方法
1. 将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。2. 将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。
3. 将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
类别
有毒物品毒性分级
低毒急性毒性
口服-大鼠LD: >10000 毫克/公斤; 口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤储运特性
库房通风低温干燥灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水职业标准
TWA 0.1 毫克(铟)/立方米安全信息
| 提供商 | 语言 |
|---|---|
|
中文
|
|
|
英文
|
|
|
英文
|
|
|
英文
|
|
|
中文
|
|
|
英文
|
下游产品